第四章金屬氧化半導體電晶體(MOSFETs) 4.1.1 N型金屬氧化半導體物理 4.1.2 臨界電壓 4.1.3 汲極端通道夾斷 4.1.4 電流電壓推導

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	第三章 P-N 介面 3.1.1 摻雜雜質 3.1.2 漂移和擴散電流 3.1.3 能帶圖 3.1.4 正向偏壓電流	線上觀看
	3.2.1 邊界條件 3.2.2 電流電壓推導	線上觀看
	3.3.1 對數放大器 3.3.2 指數放大器 3.3.3 乘法器 3.3.4 除法器 3.3.5 方根器 3.3.6 校正 3.3.7 二極體整流(1)	線上觀看
	3.4.1二極體整流(2) 3.4.2超級二極體 3.4.3有增益超級二極體 3.4.4不飽和超級二極體 3.4.5峰值整流器(1)	線上觀看
	3.5.1峰值整流器(2) 3.5.2全波峰值整流器 3.5.3 穩壓器 3.5.4負載效應 3.5.5崩潰二極體	線上觀看
	3.6.1 OP和BJT的穩壓器 3.6.2穩定直流電壓源 3.6.3蓮波效應 3.6.4調幅 3.6.5調幅解調	線上觀看
	3.7.1調幅發射器 3.7.2電流放大器 3.7.3調幅接收器 3.7.4頻率調諧器 3.7.5自動增益控制	線上觀看
	3.8.1另一種調幅接收器 3.8.2截取載波信號	線上觀看
	3.9.1自動增益控制操作 3.9.2介面場效電晶體物理 3.9.3介面場效電晶體歐姆區 3.9.4 峰值偵測器 3.9.5自動增益控制電路	線上觀看
	3.10.1 介面場效電晶體放大器(1) 3.10.2 通道夾斷效應	線上觀看
	3.11.1介面場效電晶體放大器(2) 3.11.2紅外線二氧化碳偵測原理 3.11.3 紅外線驅動電路 3.11.4 紅外線接收 3.11.5 紅外線二氧化碳偵測電路	線上觀看
	第四章金屬氧化半導體電晶體(MOSFETs) 4.1.1 N型金屬氧化半導體物理 4.1.2 臨界電壓 4.1.3 汲極端通道夾斷 4.1.4 電流電壓推導	線上觀看
	4.2.1 金屬氧化半導體電晶體電流電壓特性 4.2.2 三極管與飽和區 4.2.3 電路符號 4.2.4 共源極放大器直流偏壓	線上觀看
	4.3.1 金屬氧化半導體電晶體電路 4.3.2 負載線 4.3.3. 輸入輸出電壓特性	線上觀看
	4.4.1 直流與交流電路 4.4.2 固定輸入直流偏壓	線上觀看
	4.5.1 隨K值變化直流偏壓穩定性 4.5.2 共源極放大器外加源極電阻 4.5.3 旁路電容增加交流增益	線上觀看
	4.6.1 另一種直流偏壓 4.6.2 電流鏡定電流源 4.6.3 定電流源偏壓的共源極放大器(CS) 4.6.4 輸入直流範圍	線上觀看
	4.7.1定電流源偏壓的共閘極放大器(CG) 4.7.2定電流源偏壓的共汲極放大器(CD)	線上觀看
	4.8.1 CS串聯CS 4.8.2 CS串聯CD 4.8.3 CD串聯CG	線上觀看
	4.9.1 CS串聯CD 4.9.2互補性輸出消去直流電壓	線上觀看
	4.10.1 MOS歐姆區產生調幅信號 4.10.2電流鏡消去直流電流 4.10.3 P型金屬氧化半導體電晶體(PMOS) 4.10.4 PMOS放大器 4.10.5 PMOS電流鏡 4.10.6輸入直流範圍	線上觀看
	4.11.1 NMOS電流鏡負載的NMOS共源(CS)放大器 4.11.2 PMOS電流鏡負載的PMOS共源(CS)放大器 4.11.3積體電路偏壓 4.11.4互補CMOS放大器	線上觀看
	4.12.1 CMOS反向器 4.12.2脤衝寬度調變(PWM) 4.12.3爾利效應(通道長度調變)(1)	線上觀看
	4.13.1爾利效應(2) 4.13.2 MOS放大器積體電路設計 4.13.3 定電流負載 4.13.4 輸出直流偏離	線上觀看
	4.14.1爾利效應(3) 4.14.2定電流負載共源放大器積體電路設計 4.14.3定電流負載共源放大器電壓特性 4.14.4調整輸出直流電壓	線上觀看
	4.15.1短路電流與輸出電阻 4.15.2串疊放大器 4.15.3串疊電流負載 4.15.4串疊電流負載的串疊放大器	線上觀看

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